IBM и Samsung представили полупроводниковый прорыв (Видео)

На конференции IEDM в Сан-Франциско IBM и Samsung презентовали кардинально новую конструкцию вертикального размещения транзисторов на кристалле.

Такое решение позволяет значительно повысить производительность процессоров или увеличить их энергоэффективность.

null

Все существующие процессоры основаны на расположении транзисторов на поверхности кремния. Новая компоновка предлагает располагать транспортные полевые транзисторы (VTFET) вертикально и перпендикулярно друг другу. Разработчики уверяют, что такая конструкция имеет сразу несколько преимуществ. Во-первых, это позволит обойти многие ограничения производительности, а во-вторых, расширит закон Мура за пределы существующей технологии нанолистов IBM. Дополнительные исследования показали, что новая компоновка приведёт к меньшим потерям энергии благодаря большему току. Это позволит разработать процессоры, которые будут либо вдвое быстрее работать, либо потреблять на 85% энергии меньше, чем чипы, изготовленные с транзисторами с компоновкой FinFET.

null

В дополнительных комментариях журналистам IBM пояснила, что VTFET может выйти за рамки существующей технологии нанолистов, но необязательно до чипов плотнее одного нанометра. При этом можно будет либо разработать процессоры, в перспективе позволяющие смартфонам работать целую неделю без подзарядки, либо не увеличивать автономность, но значительно нарастить мощность.

О сроках начала коммерческого использования новой технологии пока ничего не сообщается.



(Visited 6 times, 1 visits today)